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Das US-Startup-Crossbar hat eine neue, nicht flüchtige Speichertechnik auf Basis von Resistive RAM (RRAM) vorgestellt. Bis zu 1 TByte sollen sich auf einem Chip speichern lassen,...
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RRAM schneller als NAND-Flash
Das US-Startup-Crossbar hat eine neue, nicht flüchtige Speichertechnik auf Basis von Resistive RAM (RRAM) vorgestellt. Bis zu 1 TByte sollen sich auf einem Chip speichern lassen, der dabei 20-mal schneller ist als Flash-Speicher und deutlich weniger Leistung aufnimmt: 1 TByte pro Chip und 20-mal schneller als Flash-Speicher. Ganze 20-mal schneller schreiben als herkömmlicher NAND-Flash – da kann der Rest des Rechners wieder schneller werden.
